Nitride semiconductor device and method for manufacturing same

WO2026009833 Art A1 8. Januar 2026

Anmelder: NUVOTON TECHNOLOGY CORPORATION JAPAN 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2026009833
Aktenzeichen: EP25832910
Anmeldetag: 27. Juni 2025
Veröffentlichung: 8. Januar 2026
Rechtsraum: WO
IPC: H10D30/47H10D89/60

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: NUVOTON TECHNOLOGY CORPORATION JAPAN
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nuvoton Technology Corporation Japan

Nuvoton Technology Corporation Japan ist die japanische Tochtergesellschaft des taiwanischen Halbleiterunternehmens Nuvoton. Das Patentportfolio konzentriert sich sehr stark auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Mess-, Prüf- und Zeitmesstechnik. Anmeldungen laufen seit 2003 bis in die Gegenwart.

401 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von