Through electrode substrate, through electrode substrate with element, semiconductor device, and substrate for through electrode
WO2026009953
Art A1
8. Januar 2026
Anmelder: DAI NIPPON PRINTING CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2026009953
- Aktenzeichen
- EP25833151
- Anmeldetag
- 3. Juli 2025
- Veröffentlichung
- 8. Januar 2026
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H05K1/11H10W70/692H05K1/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- DAI NIPPON PRINTING CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Dai Nippon Printing
Japanisches Unternehmen der Druckindustrie mit Sitz in Tokio, das sich über klassische Druckerzeugnisse hinaus in Elektronikmaterialien, Displaykomponenten und Verpackungslösungen diversifiziert hat.
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