Substrate for semiconductor fabrication having selectively treated perimeter and method of treating

WO2026010689 Art A1 8. Januar 2026

Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2026010689
Aktenzeichen
EP25833093
Anmeldetag
28. Mai 2025
Veröffentlichung
8. Januar 2026
Rechtsraum
WO
IPC
G02F1/13G02F1/1339
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
APPLIED MATERIALS, INC.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

10.787 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen