Gate-all-around transistor using heavily doped substrate source region, electronic device, and preparation method

WO2026011410 Art A1 15. Januar 2026

Anmelder: JIASHAN FUDAN INSTITUTE, FUDAN UNIVERSITY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2026011410
Aktenzeichen: EP24946721
Anmeldetag: 12. Juli 2024
Veröffentlichung: 15. Januar 2026
Rechtsraum: WO
IPC: H10D62/13H10D30/62

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: JIASHAN FUDAN INSTITUTE
FUDAN UNIVERSITY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Fudan University

Die Fudan University ist eine chinesische Eliteuniversität mit Sitz in Shanghai und breiter Forschung in Medizin und Chemie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Pharma und Halbleitertechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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