Method for producing a growth substrate, method for producing an epitaxial silicon carbide layer, growth substrate, and epitaxial silicon carbide layer

WO2026012658 Art A1 15. Januar 2026

Anmelder: HITACHI ENERGY LTD 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2026012658
Aktenzeichen: EP25731149
Anmeldetag: 5. Juni 2025
Veröffentlichung: 15. Januar 2026
Rechtsraum: WO
IPC: H10P10/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: HITACHI ENERGY LTD
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 Hitachi Energy

Unternehmen mit Sitz in der Schweiz, hervorgegangen aus dem japanischen Hitachi-Konzern und der früheren Energiesparte von ABB. Entwickelt Technik für Stromübertragung, -verteilung und Netzautomatisierung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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