Beta digallium trioxide single-crystal substrate, method for manufacturing beta digallium trioxide single crystal, and method for manufacturing beta digallium trioxide single-crystal substrate
WO2026013719
Art A1
15. Januar 2026
Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2026013719
- Aktenzeichen
- EP24947219
- Anmeldetag
- 8. Juli 2024
- Veröffentlichung
- 15. Januar 2026
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/16C30B11/00C30B13/00C30B19/00C30B35/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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