Method and apparatus for forming metal nitride film containing oxygen

WO2026014281 Art A1 15. Januar 2026

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2026014281
Aktenzeichen: EP25836842
Anmeldetag: 27. Juni 2025
Veröffentlichung: 15. Januar 2026
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/455H10P14/60H10P14/42

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von