Threshold voltage prediction apparatus and method for nonvolatile memory
WO2026014612
Art A1
15. Januar 2026
Anmelder: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2026014612
- Aktenzeichen
- EP24947355
- Anmeldetag
- 31. Oktober 2024
- Veröffentlichung
- 15. Januar 2026
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C29/50G11C16/34
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
Seoul National University R&DB Foundation
Technologietransfer- und Forschungsförderungsstiftung der Seoul National University in Südkorea. Sie verwaltet und vermarktet die an der Universität entstandenen Forschungsergebnisse und Patente.
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