Multi-modal sensing-memory-computing integrated brain-inspired chip and preparation method therefor

WO2026016177 Art A1 22. Januar 2026

Anmelder: SHANGHAI INTEGRATED CIRCUIT MANUFACTURING INNOVATI, FUDAN UNIVERSITY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2026016177
Aktenzeichen: EP24947565
Anmeldetag: 19. Juli 2024
Veröffentlichung: 22. Januar 2026
Rechtsraum: WO
IPC: H10K10/46H10K30/10H10K30/65H10K71/00H10K71/60H10K30/81

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: SHANGHAI INTEGRATED CIRCUIT MANUFACTURING INNOVATI
FUDAN UNIVERSITY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Fudan University

Die Fudan University ist eine chinesische Eliteuniversität mit Sitz in Shanghai und breiter Forschung in Medizin und Chemie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Pharma und Halbleitertechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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