Optoelectronic computing-in-memory integrated device based on semiconductor heterojunction, and fabrication method therefor

WO2026016178 Art A1 22. Januar 2026

Anmelder: FUDAN UNIVERSITY, SHANGHAI INTEGRATED CIRCUIT MANUFACTURING INNOVATI 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2026016178
Aktenzeichen: EP24947566
Anmeldetag: 19. Juli 2024
Veröffentlichung: 22. Januar 2026
Rechtsraum: WO
IPC: H10K30/10H10K30/65H10K30/80H10K71/00G06N3/067

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: FUDAN UNIVERSITY
SHANGHAI INTEGRATED CIRCUIT MANUFACTURING INNOVATI
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Fudan University

Die Fudan University ist eine chinesische Eliteuniversität mit Sitz in Shanghai und breiter Forschung in Medizin und Chemie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Pharma und Halbleitertechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Software & Datenverarbeitung

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