Method for preparing a substrate comprising a thin layer of piezoelectric material transferred to a carrier

WO2026017336 Art A1 22. Januar 2026

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2026017336
Aktenzeichen: EP25733427
Anmeldetag: 16. Juni 2025
Veröffentlichung: 22. Januar 2026
Rechtsraum: WO
IPC: H10P10/00H10W10/10H10N30/072

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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