Layered structure, method for manufacturing same, and semiconductor device

WO2026018667 Art A1 22. Januar 2026

Anmelder: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2026018667
Aktenzeichen: EP25840618
Anmeldetag: 30. Juni 2025
Veröffentlichung: 22. Januar 2026
Rechtsraum: WO
IPC: H10D64/60C30B29/52H10D30/67

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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