Composition for forming resist underlayer film, method for producing semiconductor substrate, and polymer

WO2026018754 Art A1 22. Januar 2026

Anmelder: JSR CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2026018754
Aktenzeichen: EP25840887
Anmeldetag: 9. Juli 2025
Veröffentlichung: 22. Januar 2026
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/11G03F7/20H10P76/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: JSR CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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