Radiation-sensitive composition for forming gate insulating film, pattern, method for producing pattern, cured film for gate insulating film, semiconductor element, organic electrochemical transistor, organic el display device, liquid crystal display device, micro-led display device, quantum dot light-emitting display device, wearable device, electronic skin device, biological sensor, and neuromorphic device
WO2026018910
Art A1
22. Januar 2026
Anmelder: JSR CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2026018910
- Aktenzeichen
- EP25841183
- Anmeldetag
- 18. Juli 2025
- Veröffentlichung
- 22. Januar 2026
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G03F7/004G02B5/20G02F1/1333G02F1/1368G03F7/20G03F7/023G03F7/038G09F9/30G09F9/33H05B33/14H10K50/115H10K50/135H10K59/12H10K71/12H10K71/20H10K85/10H10K85/40H10K85/60
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- JSR CORPORATION
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
JSR Corporation
JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.
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