Selectively Depositing A Silicon Nitride Film

WO2026024748 Art A1 29. Januar 2026

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2026024748
Aktenzeichen: EP25844781
Anmeldetag: 22. Juli 2025
Veröffentlichung: 29. Januar 2026
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/34C23C16/04C23C16/50C23C16/455

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von