Vertical channel oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method

WO2026025593 Art A1 5. Februar 2026

Anmelder: PEKING UNIVERSITY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2026025593
Aktenzeichen: EP24949318
Anmeldetag: 5. September 2024
Veröffentlichung: 5. Februar 2026
Rechtsraum: WO
IPC: H10D30/66

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: PEKING UNIVERSITY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

Peking University ist eine chinesische Eliteuniversität in Peking mit breiter Forschung und Patenten in zahlreichen Technologiefeldern, unter anderem Biotechnologie und Materialwissenschaften.

900 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von