Sensing circuit, memory and access control method therefor, and electronic device

WO2026025640 Art A1 5. Februar 2026

Anmelder: BEIJING SUPERSTRING ACADEMY OF MEMORY TECHNOLOGY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2026025640
Aktenzeichen
EP24949362
Anmeldetag
12. Oktober 2024
Veröffentlichung
5. Februar 2026
Rechtsraum
WO
IPC
G11C7/06G11C11/402
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
BEIJING SUPERSTRING ACADEMY OF MEMORY TECHNOLOGY
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Beijing Superstring Academy of Memory Technology

Die Beijing Superstring Academy of Memory Technology ist eine 2020 gegründete chinesische Forschungseinrichtung mit Sitz in Peking, die neue Speicherzellarchitekturen für zukünftige DRAM-Technologien entwickelt. Das Patentportfolio konzentriert sich nahezu vollständig auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Datenspeichertechnik. Die noch junge Patenttätigkeit stammt aus den Jahren 2021 bis 2025.

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