Method for preparing a thin layer of single-domain ferroelectric material

WO2026027548 Art A1 5. Februar 2026

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2026027548
Aktenzeichen: EP25750568
Anmeldetag: 29. Juli 2025
Veröffentlichung: 5. Februar 2026
Rechtsraum: WO
IPC: H10P10/00H10N30/072H10P95/90

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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