Method for simultaneously producing multiple sheets of sic single crystal substrate
WO2026028508
Art A1
5. Februar 2026
Anmelder: NGK INSULATORS, LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2026028508
- Aktenzeichen
- EP25847790
- Anmeldetag
- 12. März 2025
- Veröffentlichung
- 5. Februar 2026
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/36C30B19/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NGK INSULATORS, LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
NGK Insulators
Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.
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