Semiconductor device and method for producing semiconductor device

WO2026028722 Art A1 5. Februar 2026

Anmelder: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2026028722
Aktenzeichen: EP25847449
Anmeldetag: 4. Juli 2025
Veröffentlichung: 5. Februar 2026
Rechtsraum: WO
IPC: H10D30/60H10D30/67H10D64/01H10D64/20H10D64/27H10D64/60H10D84/83H10D84/85

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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