Nucleation layer design for the growth of indium-containing group iii-nitride-based long wavelength emitters

WO2026029801 Art A2 5. Februar 2026

Anmelder: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2026029801
Aktenzeichen: EP25848985
Anmeldetag: 11. Februar 2025
Veröffentlichung: 5. Februar 2026
Rechtsraum: WO
IPC: H10H20/825H10H20/812H10H20/01

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Wisconsin Alumni Research Foundation

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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