Memory device including control gates having partial dielectric liners

WO2026030366 Art A1 5. Februar 2026

Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2026030366
Aktenzeichen: EP25848375
Anmeldetag: 29. Juli 2025
Veröffentlichung: 5. Februar 2026
Rechtsraum: WO
IPC: H10B43/35H10B43/50H10B43/10H10B41/35H10B41/50H10B41/10

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

5.075 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von