Verbessertes MOS-Halbleiterbauelement mit Graben
EP1032028
Art B1
15. September 2010
Anmelder: Fairchild Semiconductor Corporation, Intersil Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1032028
- Aktenzeichen
- EP00102399
- Anmeldetag
- 3. Februar 2000
- Veröffentlichung
- 15. September 2010
- Erteilung
- 15. September 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Fairchild Semiconductor Corporation
Intersil Corporation - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor war ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der 2016 von ON Semiconductor übernommen wurde. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter- und Schaltungstechnik sowie Leistungselektronik. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2017.
275 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Kanzlei
Boehmert & Boehmert
München, Deutschland
Boehmert & Boehmert geht auf die Zulassung von Dr. Karl Boehmert 1931 in Berlin zurück. Mit Standorten in Deutschland, Alicante, Paris und Shanghai bietet die Kanzlei IP aus einer Hand und legt besonderen Wert auf persönliche Mandantenbetreuung statt Anonymität.
39.181
Patente gesamt
25
Patentanwälte
2
Standorte
Weitere Vertreter
-
Hoarton, Lloyd Douglas Charles
NoneMünchen
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Meddle, Alan Leonard
NoneMünchen