MOS-Anordnung mit einer vergrabenen Gate und Verfahren zur Herstellung
EP1033759
Art B1
3. Oktober 2012
Anmelder: Fairchild Semiconductor Corporation, Intersil Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1033759
- Aktenzeichen
- EP00102398
- Anmeldetag
- 3. Februar 2000
- Veröffentlichung
- 3. Oktober 2012
- Erteilung
- 3. Oktober 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/739H01L29/74H01L21/336H01L21/331H01L21/332
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Fairchild Semiconductor Corporation
Intersil Corporation - Land
- 🇺🇸 USA
Fachgebiete
Kanzlei
Boehmert & Boehmert
München, Deutschland
Boehmert & Boehmert geht auf die Zulassung von Dr. Karl Boehmert 1931 in Berlin zurück. Mit Standorten in Deutschland, Alicante, Paris und Shanghai bietet die Kanzlei IP aus einer Hand und legt besonderen Wert auf persönliche Mandantenbetreuung statt Anonymität.
38.876
Patente gesamt
25
Patentanwälte
2
Standorte
Weitere Vertreter
-
Hoarton, Lloyd Douglas Charles
NoneMünchen
-
Meddle, Alan Leonard
NoneMünchen