Halbleiterbauelement mit Graben-Gate und Verfahren zu dessen Herstellung
EP1065710
Art B1
28. Dezember 2011
Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba, KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1065710
- Aktenzeichen
- EP00305546
- Anmeldetag
- 30. Juni 2000
- Veröffentlichung
- 28. Dezember 2011
- Erteilung
- 28. Dezember 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/739H01L29/417H01L29/423H01L21/336H01L21/331// H01L29/08H01L29/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Kabushiki Kaisha Toshiba
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Toshiba
Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.
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Marks & Clerk zählt zu den ältesten und international breitesten IP-Kanzleien: 1887 in Birmingham gegründet, ist sie heute mit eigenen Büros auf drei Kontinenten präsent und deckt das gesamte Spektrum des gewerblichen Rechtsschutzes ab.
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