Feldeffekt-Halbleiteranordnung mit einer Graben-Gateelektrode und Verfahren zu dessen Herstellung
EP1094525
Art B1
2. Juli 2014
Anmelder: DENSO CORPORATION, Denso Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1094525
- Aktenzeichen
- EP00122616
- Anmeldetag
- 17. Oktober 2000
- Veröffentlichung
- 2. Juli 2014
- Erteilung
- 2. Juli 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/739H01L29/749H01L29/423H01L21/336H01L21/331H01L21/332// H01L29/06H01L29/417H01L29/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- DENSO CORPORATION
Denso Corporation - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Denso
Japanischer Automobilzulieferer mit Sitz in Kariya (Präfektur Aichi). Denso entwickelt Antriebs, Klima, Sicherheits und Elektroniksysteme für Fahrzeuge sowie Komponenten für Elektromobilität, Fahrerassistenz und Halbleitertechnik.
13.239 Patente in unserer Datenbank