Vertikales Halbleiterbauelement mit Source-Down-Design und entsprechendes Herstellungsverfahren

EP1122796 Art B1 5. April 2006

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1122796
Aktenzeichen: EP01102123
Anmeldetag: 31. Januar 2001
Veröffentlichung: 5. April 2006
Erteilung: 5. April 2006
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/78H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

4.937 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von