Verfahren zum Auffüllen von Vertiefungen in einer Oberfläche einer Halbleiterstruktur

EP1128420 Art A3 7. Juni 2006

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1128420
Aktenzeichen: EP01103453
Anmeldetag: 14. Februar 2001
Veröffentlichung: 7. Juni 2006
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/314

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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