Methode und Gerät zur Erzeugung von rechteckigen Kontaktlöchern unter Ausnützung von Interferenzstrahlung

EP1150164 Art B1 31. Mai 2006

Anmelder: Infineon Technologies AG, Infineon Technologies North America Corp. 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1150164
Aktenzeichen: EP01110325
Anmeldetag: 26. April 2001
Veröffentlichung: 31. Mai 2006
Erteilung: 31. Mai 2006
Rechtsraum: EP
IPC: G03F1/14G03F7/20G03F1/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Infineon Technologies AG
Infineon Technologies North America Corp.
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Infineon Technologies North America ist die US-amerikanische Tochtergesellschaft des deutschen Halbleiterkonzerns Infineon Technologies. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Datenspeicherung und Schaltungstechnik. Anmeldungen reichen von 2000 bis 2015.

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