Integrierte Halbleiterschaltung und Nichtflüchtiges Speicherelement

EP1150302 Art B1 6. Januar 2010

Anmelder: Renesas Electronics Corporation, Renesas Technology Corp., Hitachi, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1150302
Aktenzeichen: EP00900823
Anmeldetag: 19. Januar 2000
Veröffentlichung: 6. Januar 2010
Erteilung: 6. Januar 2010
Rechtsraum: EP
IPC: G11C16/06G11C16/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Renesas Electronics Corporation
Renesas Technology Corp.
Hitachi, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

1.103 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Hitachi

Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.

16.329 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

Vertreten von