Verfahren zur Reduzierung von orientierungsabhängiger Oxidation in Grabenstrukturen und davon hergestelltes Halbleiterspeicherbauelement

EP1150349 Art A3 2. August 2006

Anmelder: Infineon Technologies AG, International Business Machines Corporation, Infineon Technologies North America Corp. 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1150349
Aktenzeichen: EP01110324
Anmeldetag: 26. April 2001
Veröffentlichung: 2. August 2006
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/8242H01L27/108

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Infineon Technologies AG
International Business Machines Corporation
Infineon Technologies North America Corp.
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

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🇺🇸 Infineon Technologies North America

Infineon Technologies North America ist die US-amerikanische Tochtergesellschaft des deutschen Halbleiterkonzerns Infineon Technologies. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Datenspeicherung und Schaltungstechnik. Anmeldungen reichen von 2000 bis 2015.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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