Verfahren zum Herstellen einer Barriereschicht in einem elektronischen Bauelement

EP1152459 Art A3 20. November 2002

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1152459
Aktenzeichen: EP01110870
Anmeldetag: 4. Mai 2001
Veröffentlichung: 20. November 2002
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/28H01L29/49

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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