Verfahen zum Kontaktätzen mittels RIE, mit Verwendung einer Schicht aus Kohlenstoffreichem Oxinitrid zur Verbesserung der Ätzselektivität
EP1152460
Art A3
25. Februar 2004
Anmelder: Infineon Technologies AG, International Business Machines Corporation, Infineon Technologies North America Corp. 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1152460
- Aktenzeichen
- EP01109862
- Anmeldetag
- 23. April 2001
- Veröffentlichung
- 25. Februar 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/60H01L21/311H01L21/768C23C16/36
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Infineon Technologies AG
International Business Machines Corporation
Infineon Technologies North America Corp. - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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🇺🇸
IBM
US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.
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