Herstellungsverfahren für eine DRAM-Speicherzelle

EP1162663 Art B1 14. August 2013

Anmelder: Qimonda AG, Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1162663
Aktenzeichen: EP01112934
Anmeldetag: 6. Juni 2001
Veröffentlichung: 14. August 2013
Erteilung: 14. August 2013
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/108H01L21/8242H01L27/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Qimonda AG
Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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