Verfahren zur Erhöhung Kapazität von Grabenkondensatoren

EP1164638 Art A3 2. August 2006

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1164638
Aktenzeichen: EP01111880
Anmeldetag: 16. Mai 2001
Veröffentlichung: 2. August 2006
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/8242

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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