Verfahren zur Herstellung einer Mikroelektronischen Struktur

EP1166345 Art A1 2. Januar 2002

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1166345
Aktenzeichen: EP00930977
Anmeldetag: 10. März 2000
Veröffentlichung: 2. Januar 2002
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/3213H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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