Verfahren zur Herstellung einer dielektrischen Antifuse-Struktur

EP1168443 Art B1 14. März 2007

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1168443
Aktenzeichen: EP01113931
Anmeldetag: 7. Juni 2001
Veröffentlichung: 14. März 2007
Erteilung: 14. März 2007
Rechtsraum: EP
IPC: H01L23/525H01L21/8242H01L21/768H01L21/3213

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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