Abscheidung amorpher Siliziumschichten bei niedrigen Temperaturen mittels CVD mit hoher Plasmadichte
EP1170397
Art A3
10. Dezember 2003
Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1170397
- Aktenzeichen
- EP01305828
- Anmeldetag
- 5. Juli 2001
- Veröffentlichung
- 10. Dezember 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C23C16/24C23C16/507H01L21/205
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Applied Materials, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Applied Materials
US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.
6.825 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Setna, Rohan P
London, Großbritannien
754
Patente gesamt
34
Fachgebiete
23
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Boult Wade Tennant LLP
Boult Wade Tennant LLP · London
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Boult Wade Tennant
Boult Wade Tennant · London
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Allard, Susan Joyce
NoneLondon