Trägermatrix mit Bondkanal für integrierte Halbleiter und Verfahren zu ihrer Herstellung

EP1170793 Art B1 21. November 2007

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1170793
Aktenzeichen: EP01114597
Anmeldetag: 18. Juni 2001
Veröffentlichung: 21. November 2007
Erteilung: 21. November 2007
Rechtsraum: EP
IPC: H01L23/31H01L23/495H01L23/13

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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