Grabenkondensator mit Isolationskragen und entsprechendes Herstellungsverfahren

EP1170804 Art B1 2. April 2008

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1170804
Aktenzeichen: EP01115516
Anmeldetag: 27. Juni 2001
Veröffentlichung: 2. April 2008
Erteilung: 2. April 2008
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/94H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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