Verfahren zum Herstellen einer ersten Elektrode und einer zweiten Elektrode, elektronisches Bauelement und elektronisches Speicherelement

EP1180795 Art B1 8. Oktober 2008

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1180795
Aktenzeichen: EP01118283
Anmeldetag: 30. Juli 2001
Veröffentlichung: 8. Oktober 2008
Erteilung: 8. Oktober 2008
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/8242// H01L21/02C23C14/22H01L21/28

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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