Integrierter Speicher mit Speicherzellen mit magnetoresistivem Speichereffekt

EP1182666 Art A1 27. Februar 2002

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1182666
Aktenzeichen: EP01115012
Anmeldetag: 20. Juni 2001
Veröffentlichung: 27. Februar 2002
Rechtsraum: EP
IPC: G11C11/16G11C8/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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