OPC-Verfahren zum Erzeugen von korrigierten Mustern für eine Phasensprungmaske und deren Trimmmaske sowie zugehörige Vorrichtung und integrierte Schaltungsstruktur

EP1184722 Art A3 1. Oktober 2003

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1184722
Aktenzeichen: EP01120628
Anmeldetag: 29. August 2001
Veröffentlichung: 1. Oktober 2003
Rechtsraum: EP
IPC: G03F1/00G03F1/14

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Optik & Fototechnik

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