Vefahren zur Herstellung einer Nichtflüchtigen Halbleiter-Speicherzelle mit Separatem Tunnelfenster

EP1192652 Art A1 3. April 2002

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1192652
Aktenzeichen: EP00943661
Anmeldetag: 30. Mai 2000
Veröffentlichung: 3. April 2002
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/336H01L29/788

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

4.872 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von