Halbleiterbauelement mit einer leitfähigen Struktur und Verfahren zu seiner Herstellung

EP1207551 Art A3 9. Februar 2005

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1207551
Aktenzeichen: EP01125069
Anmeldetag: 22. Oktober 2001
Veröffentlichung: 9. Februar 2005
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/336H01L21/28

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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