Herstellungsverfahren für ein Halbleiterbauelement mit flacher Grabenisolationsstruktur

EP1211727 Art B1 8. November 2006

Anmelder: Samsung Electronics Co., Ltd., SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1211727
Aktenzeichen: EP01127962
Anmeldetag: 23. November 2001
Veröffentlichung: 8. November 2006
Erteilung: 8. November 2006
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/762H01L21/8234

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Samsung Electronics Co., Ltd.
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Samsung Electronics

Südkoreanischer Elektronikkonzern und Teil der Samsung-Gruppe. Entwickelt und produziert Halbleiter, Speicherchips, Displays, Smartphones, Unterhaltungselektronik sowie Haushaltsgeräte für den globalen Markt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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