Schichtstruktur für Bipolare Transistoren und Verfahren zu deren Herstellung

EP1212786 Art B1 26. September 2012

Anmelder: IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik, IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics/Institut für innovative Mikroelektronik 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1212786
Aktenzeichen: EP00958187
Anmeldetag: 28. Juli 2000
Veröffentlichung: 26. September 2012
Erteilung: 26. September 2012
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/205H01L21/331

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics/Institut für innovative Mikroelektronik
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 IHP – Innovations for High Performance Microelectronics

Deutsches Forschungsinstitut (Leibniz-Institut) mit Sitz in Frankfurt (Oder), das an Hochleistungs-Mikroelektronik forscht, darunter Silizium-Germanium-Technologien und Halbleiterschaltungen für Kommunikations- und Sensoranwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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