Selbstausrichtende Methode für die Herstellung von Tiefen Gräben in Seichten Gräben für die Isolation von Halbleiterbauteilen
EP1212792
Art B1
5. August 2015
Anmelder: Infineon Technologies AG, Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ), TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1212792
- Aktenzeichen
- EP00964830
- Anmeldetag
- 4. September 2000
- Veröffentlichung
- 5. August 2015
- Erteilung
- 5. August 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Infineon Technologies AG
Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ)
TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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🇸🇪
Ericsson
Schwedischer Telekommunikationskonzern mit Sitz in Stockholm. Ericsson entwickelt Netzwerkinfrastruktur, Mobilfunktechnologien (u.a. 5G) und Kommunikationslösungen für Netzbetreiber und Unternehmen weltweit.
27.748 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Fritzon, Rolf
Stockholm, Schweden
317
Patente gesamt
26
Fachgebiete
13
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
2SPL Patentanwälte PartG mbB
2SPL Patentanwälte PartG mbB · München
-
2SPL Patentanwälte
2SPL Patentanwälte · München
-
Estreen, Lars
NoneStockholm