Verfahren zur Herstellung von Siliziumkarbid Einkristallen

EP1215311 Art B1 10. Februar 2010

Anmelder: DENSO CORPORATION, Denso Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1215311
Aktenzeichen: EP01129641
Anmeldetag: 12. Dezember 2001
Veröffentlichung: 10. Februar 2010
Erteilung: 10. Februar 2010
Rechtsraum: EP
IPC: C30B29/36C30B25/02

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: DENSO CORPORATION
Denso Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Denso

Japanischer Automobilzulieferer mit Sitz in Kariya (Präfektur Aichi). Denso entwickelt Antriebs, Klima, Sicherheits und Elektroniksysteme für Fahrzeuge sowie Komponenten für Elektromobilität, Fahrerassistenz und Halbleitertechnik.

7.883 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von