Substrat mit mindestens einer Pore

EP1222029 Art B1 26. Mai 2004

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1222029
Aktenzeichen: EP00978971
Anmeldetag: 4. Oktober 2000
Veröffentlichung: 26. Mai 2004
Erteilung: 26. Mai 2004
Rechtsraum: EP
IPC: B01L3/00G02B1/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Optik & Fototechnik Verfahrens- & Trenntechnik

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